Современный научно-технический прогресс невозможен без использования приборов и элементов полупроводниковй электроники и микроэлектроники. Успехи электроники являются результатом создания разнообразных и удивительных по своим свойствам полупроводниковых приборов. В основе работы практически всех полупроводниковых приборов лежат контактные явления: контакты металл-полупроводник, гомо - и гетеро-контакты полупроводников. В полупроводниковых приборах используют выпрямительные свойства p-n – перехода (низкочастотные и высокоастотные, выпрямительные диоды), явления пробоя (стабилитроны), управляемая напряжением емкость (варикапы, параметрические диоды), отрицательное сопротивление p-n – переходов с высокой концентрацией (туннельные диоды) и т.д. Чтобы изучить современную электронику, прежде всего нужно знать принципы устройства и физические основы работы полупроводниковых приборов, их характеристики, параметры и важнейшие свойства. Поэтому авторы основное внимание уделили рассмотрению особенностей физических процессов в p-n – переходе, влиянию на них свойств полупроводниковых материалов и внешних условий. Более глубоко и подробно авторы постарались осветить те вопросы, которые они считают особенно важными. Помимо процессов в p-n – переходе рассмотрены различные типы полупроводниковых диодов, их особенности инекоторые случаи их применения. После каждого раздела представлены контрольные вопросы, позволяющие выяснить степень усвоения учащимися материала, изложенного в пособии.